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一、产品概述
SWIRM系列短波红外显微镜是专为900–1700nm短波红外波段设计的显微成像设备,采用无限远校正光学系统,配备SWIR专用平场复消色差物镜(5×/10×/20×/50×可选,数值孔径0.14–0.65,工作距离10–37.5mm),搭配高功率LED同轴落射照明(波长1200/1300/1400/1550nm可选)及SWIR短波红外相机(33-500万像素,帧率61.9-753fps,支持视频模式和触发模式),可实现硅片内部缺陷检测、材料穿透成像等半导体制造、材料科学与工业检测场景领域。
二、性能特点
1、标准玻璃光学系统兼容传统显微镜平台,降低系统集成成本
2、成像光谱范围覆盖900-1700nm短波红外波段
3、SWIR光子可穿透硅基材料,适用于表面缺陷无损检测
4、可根据客户相面要求选配BSM-T100VA、BSM-T180VB、BSM-T090VA(Customized)、BSM-T110VA(Customized)四种管镜方案
5、同轴落射式科勒照明,支持1550/1400/1300/1200nm LED光源
三、应用场景
1、失效分析:从芯片背面进行成像,定位晶体管级别的故障点
2、芯片内部缺陷检测:穿透硅衬底,直接观察芯片内部的污染缺陷、划痕、裂纹和金属键合线
3、硅基半导体Wafer、确化镉CdTe、确镉汞HgCdTe衬底无损红外检测
4、光伏检测:对太阳能硅片进行光致发光(PL)和电致发光(EL)特性检测
四、近红外物镜参数
品名 | 数值孔径 NA | 工作距离 WD(mm) | 焦距 f(mm) | 分辨率 R(um) | 物镜焦深 ±D.F.(um) | FN (mm) | 重量 (g) |
M Plan Apo NIR 5X(选配) | 0.14 | 37.5 | 40 | 2.0 | 14 | 24 | 220 |
M Plan Apo NIR 10X | 0.26 | 30.5 | 20 | 1.1 | 4.1 | 24 | 250 |
M Plan Apo NIR 20X(选配) | 0.4 | 20 | 10 | 0.7 | 1.7 | 24 | 300 |
M Plan Apo NIR 50X(选配) | 0.42 | 17 | 4 | 0.7 | 1.6 | 24 | 315 |
M Plan Apo NIR 50X HR(选配) | 0.65 | 10 | 4 | 0.4 | 0.7 | 24 | 450 |
五、SWIR系列相机全局快门、制冷降噪
型号 | 传感器型号与尺寸 | 像素 | G光灵敏度 暗电流 | 数据接口 | FPS/分辨率 | 采样平均 | 曝光时间 外形尺寸 |
SWIR5000KMA(可选) | 5.0M/IMX992(M,GS) 1/1.4”(8.94x7.09) Built-in TEC | 3.45x3.45 | 51.5dB 48.5dB | USB3 | 61.9@2560x2048 135.7@1280x1024 | 1x1 1x1 | 15us~60s 80mm |
SWIR3000KMA | 3.0M/IMX993(M,GS) 1/1.8”(7.07x5.3) Built-in TEC | 3.45x3.45 | 51.5dB 48.5dB | USB3 | 93@2048x1536 176@1024x768 | 1x1 1x1 | 15us~60s 80mm |
SWIR1300KMA(可选) | 1.3M/IMX990(M,GS) 1/2”(6.40x5.12) Built-in TEC | 5x5 | 58.7dB 52.6dB | USB3 | 200@1280x1024 392@640x512 | 1x1 1x1 | 15us~60s 80mm |
SSWIR330KMA(可选) | 0.33M/IMX991(M,GS) 1/4”(3.20x2.56) Built-in TEC | 5x5 | 58.7dB 52.6dB | USB3 | 400@640x512 753@320x256 | 1x1 1x1 | 15us~60s 80mm |
六、软件介绍
5、支持Windows/Mac/Linux全平台覆盖,支持原生C/C++, C#/VB.Net, Directshow, Twain API
6、可扩展性强:提供SDK和第三方软件支持,方便二次开发